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DMTH6004LPSQ-13  与  BSC031N06NS3 G  区别

型号 DMTH6004LPSQ-13 BSC031N06NS3 G
唯样编号 A-DMTH6004LPSQ-13 A-BSC031N06NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.6W(Ta), 138W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1 毫欧 @ 25A,10V 3.1mΩ
上升时间 - 161ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 63ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 100A(Ta) 100A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 16ns
典型接通延迟时间 - 38ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4515pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47.4nC @ 4.5V -
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
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